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安森美NTBG025N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET是一款19mΩ、650V MOSFET,采用D2PAK-7L封装。该碳化硅MOSFET的设计快速而坚固耐用。该器件具有10倍介电击穿场强度和2倍电子饱和速度。这些MOSFET还具有3倍能量带间隙和3倍导热性。
安森美NTHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET是一款12mohm、650V MOSFET,采用TO-247-3L封装。该
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