安森美NTBG025N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET是一款19mΩ、650V MOSFET，采用D2PAK-7L封装。该碳化硅MOSFET的设计快速而坚固耐用。该器件具有10倍介电击穿场强度和2倍电子饱和速度。这些MOSFET还具有3倍能量带间隙和3倍导热性。所有安森美碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的选项，专门设计用于汽车应用并符合其相关要求。

NTBG025N065SC1 的特性

典型值 RDS(on)= 19m（VGS = 18V时）

典型值 RDS(on)= 25m（VGS = 15V时）

超低栅极电荷 (QG(tot) = 164nC)

低输出电容 (Coss = 278pF)

100%经雪崩测试

TJ = 175°C

符合RoHS指令

NTBG025N065SC1 的应用

开关模式电源 (SMPS)

太阳能逆变器

不间断电源 (UPS)

储能