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摘要： GaN(氮化镓)晶体管是一种功率晶体管，针对大电流、高压击穿和高开关频率进行了优化。
GaN(氮化镓)晶体管是一种功率晶体管，针对大电流、高压击穿和高开关频率进行了优化。GS-065-060-3具有Island Technology 电池布局，在使用片上金属传输更多电流的同时减少了设备的尺寸。GaNPX 包装在小包装中实现低电感和低热阻。这些特性结合起来提供了非常高效的电源开关。
GaN Systems GS-065-060-3 650V增强模式GaN晶体管有两种变体。GS-065-060-3-B是底部侧冷却型晶体管，而GS-065-060-3-T是顶部侧冷却型晶体管。这两种器件都为高功率应用提供了非常低的结到外壳热阻。
增强模式功率晶体管
650V漏源极电压(V(DS))
25毫欧漏源通电阻(R(DS(on)))
60A连续漏极电流(I(DS))
简单栅极驱动要求(0V到6V)
-20V/+10V门源电压-瞬态(V(GS(transient))
大于10MHz的开关频率
快速和可控的上升和下降时间
逆向传导能力
零反向回收损失
双栅垫，优化板布局
-55°C至+150°C工作结温度(T(j))
0.27°C /W接合到外壳的热阻(R(西塔JC))
包
GS-065-060-3-B:底部冷却，低电感GaNPX封装
GS-065-060-3-T:顶冷，低电感GaNPX封装
维
GS-065-060-3-B: 11.0mm x 9.0mm x 0.45mm
GS-065-060-3-T: 9.2mm x 7.8mm x 0.49mm
符合RoHS 3 (6+4)
交直流转换器
直流-直流转换器
无桥图腾柱PFC
逆变器
能量存储系统
车载电池充电器
不间断电源
太阳能
工业马达驱动器
激光驱动程序
牵引驱动
无线电力传输
gs - 065 - 060 - 3 - b(冷却)
gs - 065 - 060 - 3 - t(冷却)
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