摘要: 由两个40毫欧/1200V SiC mosfet和两个40A/1200V SiC二极管组成。
全SiC MOSFET模块包含一个双升压级,由两个40毫欧欧姆/1200V SiC MOSFET和两个40A/1200V SiC二极管组成。这种集成SiC mosfet和SiC二极管提供更低的传导损耗和开关损耗,使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。NXH40B120MNQ0全SiC MOSFET模块包含两个额外的50A/1200V旁路整流器,用于浪涌电流限制和一个板载热敏电阻。这种全SiC MOSFET模块具有低反向恢复和快速开关SiC二极管,低电感布局,焊锡针和热敏电阻。NXH40B120MNQ0全SiC MOSFET模块理想地用于太阳能逆变器和不间断电源。
低反向恢复和快速开关SiC二极管
1200V旁路和反并联二极管
低电感布局
-存储温度范围为40℃~ 125℃
焊针
热敏电阻
这些设备是无铅,无卤,符合RoHS
太阳能逆变器
不间断电源
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