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onsemi NXH40B120MNQ0全SiC MOSFET模块的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2023-05-15

摘要: 由两个40毫欧/1200V SiC mosfet和两个40A/1200V SiC二极管组成。

全SiC MOSFET模块包含一个双升压级,由两个40毫欧欧姆/1200V SiC MOSFET和两个40A/1200V SiC二极管组成。这种集成SiC mosfet和SiC二极管提供更低的传导损耗和开关损耗,使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。NXH40B120MNQ0全SiC MOSFET模块包含两个额外的50A/1200V旁路整流器,用于浪涌电流限制和一个板载热敏电阻。这种全SiC MOSFET模块具有低反向恢复和快速开关SiC二极管,低电感布局,焊锡针和热敏电阻。NXH40B120MNQ0全SiC MOSFET模块理想地用于太阳能逆变器和不间断电源。


特性

  • 低反向恢复和快速开关SiC二极管

  • 1200V旁路和反并联二极管

  • 低电感布局

  • -存储温度范围为40℃~ 125℃

  • 焊针

  • 热敏电阻

  • 这些设备是无铅,无卤,符合RoHS


应用程序

  • 太阳能逆变器

  • 不间断电源


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