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ONSEMI NTBG060N065SC1 MOSFET

onsemi NTBG060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-03-06

摘要： onsemi NTBG060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET是一个44毫欧, 650V MOSFET封装在D2PAK-7L封装中。

onsemi NTBG060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET是一个44毫欧， 650V MOSFET封装在D2PAK-7L封装中。SiC mosfet被设计为快速和坚固。该器件提供了10倍高的介电击穿场强和2倍高的电子饱和速度。mosfet还提供3倍高的能带隙和3倍高的热导率。所有onsemi SiC mosfet包括AEC-Q101合格和PPAP能力的选项，专门设计并符合汽车和工业应用。

特性

Typ。R(DS(on))= 44m @ V(GS) = 18V
Typ。R(DS(on))= 60m @ V(GS) = 15V
超低门电荷(Q(G(tot)) = 74nC
低输出电容(C(oss) = 133pF)

100%雪崩测试
T (J) = 175°C
通过无铅认证

应用程序

开关模式电源
太阳能逆变器

UPS(不间断电源)
能量储存

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