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ONSEMI NTHL045N065SC1 碳化硅

NTHL045N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-03-20

摘要： 碳化硅(SiC) MOSFET采用了一种全新的技术，与硅相比提供了优越的开关性能和高可靠性。

NTHL045N065SC1

碳化硅(SiC) MOSFET采用了一种全新的技术，与硅相比提供了优越的开关性能和高可靠性。这种紧凑的芯片大小的MOSFET被设计成低ON电阻，并确保低电容和栅电荷。NTHL045N065SC1 MOSFET具有高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更小的电磁干扰和更小的系统尺寸。典型应用包括开关模式电源(SMPS)，太阳能逆变器，DC-DC转换器，UPS和储能。

特性

低电容高速开关(C(oss)=162pF)
典型R(DS(on))=32m @ V(GS)=18V
典型R(DS(on))=42m @ V(GS)=15V
650V漏源电压(V(DSS))
66A连续漏极电流(I(D)max)

超低门电荷(Q(G(tot))=105nC)
100%雪崩测试
结温高(T(J)小于175℃)
无铅，符合RoHS标准

应用程序

开关模式电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
直流-直流转换器

太阳能逆变器
能源存储

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