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STMICROELECTRONICS MOSFET

STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-03-02

摘要： 高电压n通道功率MOSFET具有齐纳保护和100%雪崩。

意法半导体STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一种高电压n通道功率MOSFET，具有齐纳保护和100%雪崩。该MOSFET还具有超低栅电荷，±30V栅源电压，83W总功耗，全球R(DS(ON)) x面积和全球性能图(FOM)。MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，采用DPAK (to -252) A2型封装。典型的应用包括反激式转换器、LED照明、平板电脑、笔记本电脑和AIO适配器。

特性

超低门电荷
全球R(DS(ON)) x区域
全球排名(FOM)

±30V门源电压
总功耗83W

应用程序

回程转换器
LED照明

平板电脑、笔记本电脑和AIO的适配器

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