MOSFET电源开关驱动器必须防止反向电池连接。一个小整流二极管可以防止电池倒转，但这种方法通常是不可接受的系统中，电池寿命是至关重要的。对于6V电池，二极管的正向压降(0.6V至0.7V典型)产生约10%的恒定功率损失，随着电池电压的降低而增加。

图1说明了对单二极管保护的改进。p沟道MOSFET (Q1)保护驱动器(U1)免受反向电池插入。Q1的低导通电阻10毫欧or less产生的正向电压降只有几毫伏(相对于二极管的数百毫伏)。因此，用MOSFET代替二极管可以立即提高效率。

将电池正极电压连接到Q1的漏极产生正向偏置，使源电压低于漏极电压一个二极管。当源电压超过Q1的阈值电压时，Q1导通。一旦FET开启，电池就完全连接到系统，并可以向U1和负载供电。

不正确插入的电池使主体二极管产生反向偏置。源保持在地电位，栅极连接到地，所以Q1保持关闭，从系统断开反向电池。当你向后插入电池时，VDS等于电池的全负电压，在某些应用中，Q1可能必须承受多次电池电压的瞬态电平。Q1必须能够承受至少等于电池最大电压的V(GS)和V(DS)电压。

除了反电池保护外，图1电路还可以在启动时防止反向负载电流。Q3确保无负载电流流过，直到U1使能n沟道mosfet (Q2和Q3)。反向负载电流可能导致Q1无意中打开，使电路不受反向电池连接的保护。