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摘要： 采用先进技术，提高开关性能和可靠性。
onsemi NVH4L095N065SC1碳化硅(SiC) mosfet采用先进技术，具有更好的开关性能和可靠性。onsemi NVH4L095N065SC1具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，从而降低了电容和栅极电荷。该器件还具有效率高、运行速度快、功率密度高、电磁干扰少、系统尺寸小等优点。
Typ。R(DS(on)) = 70m @ V(GS) = 18V
Typ。R(DS(on)) = 95m @ V(GS) = 15V
超低栅极电荷(Q(G(t)) = 50nC)
低输出电容(C(损耗)= 89pF)
100%雪崩测试
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
该设备不含铅，符合rohs标准
车载充电器
用于EV/HEV的汽车DC/DC变换器
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