摘要: 具有卓越特性的高性能设备。
onsemi NVHL075N065SC1碳化硅(SiC) mosfet是具有卓越特性的高性能器件。onsemi NVHL075N065SC1在栅极源电压(V(GS))为18V时提供了典型的R(DS(on)) 57毫欧,在15V时提供了75毫欧。该器件具有超低栅极电荷(Q(G(t)) = 61nC)和低输出电容(C(损耗)= 107pF),确保快速开关和降低功率损耗。
Typ。R(DS(on)) = 57m @ V(GS) = 18V
Typ。R(DS(on)) = 75m @ V(GS) = 15V
超低栅极电荷(Q(G(t)) = 61nC)
低输出电容(C(损耗)= 107pF)
100%雪崩测试
通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力
该设备不含铅,符合rohs标准
车载充电器
用于EV/HEV的汽车DC/DC变换器
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