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ONSEMI NTMFS6H858NL

NTMFS6H858NL n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-01-02

摘要： 设计紧凑，高效的设计在一个5mm x 6mm的平面引线封装。

onsemi NTMFS6H858NL n沟道功率MOSFET采用5mm x 6mm平面引线封装，设计紧凑高效。该功率MOSFET具有低R(DS(on))，低Q(G)和电容以及逻辑级驱动能力。NTMFS6H858NL n沟道功率MOSFET工作在80V漏源电压，±20V栅源电压，-55°C至175°C工作结和存储温度范围。该功率MOSFET无铅且符合rohs标准。典型应用包括开关电源、电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器和h桥)、48V系统、电机控制、负载开关和DC/DC转换器。

特性

低R(DS(on))，最小化传导损耗
低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗
Pb-免费

通过无铅认证
5mm x 6mm小占地紧凑的设计

规范

80V漏源电压
±20V栅源电压
100nA栅源泄漏电流
1.2V至2V门限电压范围
-2.9mV/℃阈值温度系数

623pF输入电容
82pF输出电容
142A脉冲漏极电流
45S正向跨导
-55°C至175°C工作结和存储温度范围

应用程序

开关电源
电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥)
48 v系统

电机控制
负荷开关
直流/直流转换器

典型特征图

尺寸图

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