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ONSEMI NTMFSC006N

onsemi NTMFSC006N双冷n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-01-02

摘要： 提供动力Trench 工艺和超低RDS(ON)双面冷却封装。

onsemi NTMFSC006N Dual Cool n沟道功率MOSFET在双面冷却封装中提供功率沟槽工艺。该功率MOSFET具有超低R(DS(ON))， 120V漏极源电压，±20V栅源电压，1459A脉冲漏极电流和150°C最高工作结/存储温度。NTMFSC006N Dual Cool n沟道功率MOSFET经过100% UIL测试，符合rohs标准。典型应用包括AC-DC商用电源，初级DC-DC场效应管，同步整流器和DC-DC转换。

特性

双冷顶部冷却PQFN包
当V(GS) = 10V, I(D) = 44A时，最大R(DS(on)) = 6.1毫欧
超低R(DS)的高性能技术

100% UIL测试
通过无铅认证

规范

120V漏源电压
±20V栅源电压
1459A脉冲漏极电流
150°C最高工作结/存储温度

MSL1坚固的包装设计

应用程序

交直流商用电源
初级DC-DC场效应管

同步整流器
直流-直流转换

典型特征图

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