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摘要： 设计紧凑，高效的设计在一个5mm x 6mm的LFPAK封装。
onsemi NTMYS003N n沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计而设计，采用5mm x 6mm LFPAK封装。该功率MOSFET具有低R(DS(ON))，低Q(G)和电容，80V漏源电压，±20V栅源电压，-55°C至175°C工作结和存储温度范围。NTMYS003N n沟道功率MOSFET无铅，符合RoHS标准。典型应用包括中压同步整流器MOSFET和电机开关。
占地面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑
低R(DS(on))，最小化传导损耗
低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗
LFPAK4封装，行业标准
Pb-free
通过无铅认证
80V漏源电压
-55°C至175°C工作结和存储温度范围
±20V栅源电压
900A脉冲漏极电流
中压同步整流MOSFET
电机开关
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