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摘要： 单片偏置网络设计用于取代单个器件及其外部电阻偏置网络。
onsemi MUN5234 NPN双极数字晶体管是一种单片偏置电阻网络，旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。这个偏置电阻晶体管(BRT)由两个电阻组成，一个串联基极电阻(22k欧姆)和一个基极-发射极电阻(47k欧姆)。BRT消除了单个组件，并将它们集成到单个设备中。该BRT通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。BRT不含铅和卤素/ bfr，符合RoHS标准。典型应用包括反向电池保护，DC-DC转换器输出驱动和高速开关。
减少电路板空间
减少组件数量
简化电路设计
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
不含铅和卤素/BFR
通过无铅认证
22k欧姆基极电阻和47k欧姆基极-发射极电阻
100mA(DC)集电极电流
8V(DC)输入反向电压
40V(DC)输入正向电压
50V(DC)集电极基极电压(V(CBO))和集电极发射极电压(V(CEO))
电池反保护
DC-DC变换器输出驱动器
高速开关
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