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ONSEMI NTBLS1D7N10MC

onsemi NTBLS1D7N10MC单n通道MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-02-19

摘要： 具有低RDS(on)和最小化传导损耗，确保高效的电源管理。

onsemi NTBLS1D7N10MC单n沟道MOSFET具有低R(DS)和最小化导通损耗，确保高效的电源管理。onsemi NTBLS1D7N10MC具有低Qg和电容，提高了开关速度，降低了能耗。包括一个更软的恢复二极管进一步有助于提高性能，最大限度地减少开关噪声和潜在的电磁干扰。NTBLS1D7N10MC不含铅，符合现代制造标准和法规。

特性

低R(DS(on))，最小化传导损耗
低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗

降低开关噪声/EMI
这些设备不含铅，符合rohs标准

应用程序

主次侧DC-DC
高效交直流转换
荷载桥

太阳能逆变器
马达驱动

应用电路图

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