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摘要： 100V, 28A, 26毫欧汽车功率MOSFET，设计紧凑，高效。
onsemi NVMFD027N10MCL双n沟道功率MOSFET是一款100V, 28A, 26毫欧汽车功率MOSFET，设计紧凑高效。aec - q101合格且具有ppap功能的设备安装在5mm x 6mm平面引线封装中，具有可湿性侧面选项，可用于增强光学检查。onsemi NVMFD027N10MCL MOSFET具有高热性能和低R(DS(on))，可最大限度地减少传导损耗。
占地面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑
低R(DS(on))，最小化传导损耗
低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
无铅，无卤素/无溴化阻燃，无铍，符合RoHS标准
48 v系统
开关电源
电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥等)
最大连续漏极电流
10V时26毫欧和4.5V时35毫欧 (DS(ON))最大值
100V漏源电压
±20V栅源电压
115A脉冲漏电流
-55°C至+175°C工作结和存储温度范围
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