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摘要： 具有高热性能和低RDS(on)，以尽量减少传导损失。
onsemi NVBLS1D5N10MC n沟道PowerTrench MOSFET具有高热性能和低R(DS(on))，可最大限度地减少传导损耗。NVBLS1D5N10MC通过AEC-Q101认证，具备PPAP功能，是汽车应用的理想选择。
onsemi NVBLS1D5N10MC MOSFET采用TOLL封装，工作结和存储温度范围为-55°C至+175°C。
低R(DS(on))，最小化传导损耗
低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
降低开关噪声/EMI
无铅，符合rohs标准
开关电源
电池反保护
电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥等)
最大连续漏极电流300A
1.5毫欧最大10V R(DS(ON))
100V漏源电压
±20V栅源电压
900A脉冲漏极电流
-55°C至+175°C工作结和存储温度范围
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