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ONSEMI NVMYS4D5N04C

onsemi NVMYS4D5N04C单n沟道功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-02-26

摘要： 专为汽车应用而设计，并封装在5mm x 6mm的LFPAK封装中。

onsemi NVMYS4D5N04C单n沟道功率mosfet专为汽车应用而设计，采用5mm x 6mm LFPAK封装。onsemi NVMYS4D5N04C实现了紧凑高效的设计，同时确保了高热性能。mosfet通过AEC-Q101认证，并具备PPAP能力，可用于需要增强板级可靠性的汽车应用。

特性

低R (DS(上))
低QG和电容

通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
通过无铅认证

应用程序

电池反保护
开关电源
电源开关

高端的司机
下部的司机
H-bridges

应用电路图

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