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摘要： 具有紧凑的设计与5mm x 6mm的足迹。
onsemi NVMFS024N06C单n沟道功率mosfet具有紧凑的设计，占地面积小，为5mm x 6mm。onsemi NVMFS024N06C mosfet是空间高效应用的理想选择，具有低R(DS(on))。mosfet最大限度地减少传导损耗，确保高效的电源管理。此外，低QG和电容有助于最大限度地减少驱动器损耗。
低QG和电容
低R (DS(上))
占地面积小(5mm x 6mm)
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
不含铅，不含卤素/ bfr，符合rohs标准
电动工具
电池驱动的真空吸尘器
无人机/无人驾驶飞机
材料处理
BMS /存储
家庭自动化。
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