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ONSEMI 碳化硅

onsemi nvh025n065sc1碳化硅mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-02-26

摘要： EliteSiC 25毫欧， 650V mosfet，提供卓越的开关性能。

onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫欧， 650V mosfet，提供卓越的开关性能。与硅相比，onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低导通电阻。mosfet紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。系统的优点包括高效率、快速工作频率、增加功率密度、减少EMI和减小系统尺寸。

特性

Typ。R(DS(on)) = 19m, V(GS) = 18V
Typ。R(DS(on)) = 25m, V(GS) = 15V
超低栅极电荷(Q(G(t)) = 164nC)
低电容(C(损耗)= 278pF)

100%雪崩测试
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
无铅，符合rohs标准

应用程序

汽车车载充电器
用于EV/HEV的汽车DC/DC转换器

应用电路图

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