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摘要： 与硅相比，提供卓越开关性能和更高可靠性的技术。
onsemi 650V EliteSiC(碳化硅)mosfet采用了一种技术，与硅相比，它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。因此，系统的优势包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。由于开尔文源配置和较低的寄生源电感，onsemi TOLL封装提供了改进的热性能和出色的开关性能。TOLL提供1级湿气敏感度(MSL 1)。
最高结温175°C
无铅薄SMD封装
开尔文源构型
超低栅极电荷
有效输出电容低
体二极管反向恢复电流为零
低R (DS(上))
650 v级
100%雪崩测试
无铅，无卤素/无溴化阻燃，符合rohs标准
水分敏感性1级保证
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