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PANJIT PJQx 30V n沟道增强模式mosfet的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2024-06-26

摘要: 设计逻辑电平门驱动,是理想的汽车应用。

PANJIT PJQx 30V n沟道增强模式mosfet采用DFN5060-8L封装,采用逻辑电平栅极驱动。这些mosfet具有低导通电阻(RDS),优异的性能因数(FOM)和±20的栅源电压。PJQx 30V n沟道mosfet通过AEC-Q101认证,并符合欧盟RoHS 2.0标准。这些mosfet采用DFN3333-8L封装,是汽车应用的理想选择。


特性

  • 30V漏源电压

  • ±20V栅源电压

  • 杰出人物(FOM)

  • 逻辑电平驱动

  • AEC-Q101合格

  • -55℃工作结和存储温度范围

  • 无铅,符合欧盟RoHS 2.0

  • 符合IEC 61249标准的绿色成型化合物

  • DFN5060-8L包装


应用程序

  • 汽车

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