摘要: 设计逻辑电平门驱动,是理想的汽车应用。
PANJIT PJQx 30V n沟道增强模式mosfet采用DFN5060-8L封装,采用逻辑电平栅极驱动。这些mosfet具有低导通电阻(RDS),优异的性能因数(FOM)和±20的栅源电压。PJQx 30V n沟道mosfet通过AEC-Q101认证,并符合欧盟RoHS 2.0标准。这些mosfet采用DFN3333-8L封装,是汽车应用的理想选择。
30V漏源电压
±20V栅源电压
杰出人物(FOM)
逻辑电平驱动
AEC-Q101合格
-55℃工作结和存储温度范围
无铅,符合欧盟RoHS 2.0
符合IEC 61249标准的绿色成型化合物
DFN5060-8L包装
汽车
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