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摘要： 1200V, 40A，低损耗，提供低热阻，并采用TO-247长引线封装。
意法半导体GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT采用先进的专有沟槽栅场止动结构开发。该IGBT是MS系列的一部分，专为逆变器系统设计。在高母线电压下，其出色的短路能力使其成为此类应用的理想选择。此外，微正的V(CE(sat))温度系数和非常紧密的参数分布有助于更安全的并联操作。GWA40MS120DF4AG汽车级IGBT具有1200V集电极-发射极电压(V(GE)=0V)， 40A连续集电极电流(T(C)=100°C)和120A脉冲正向电流。该IGBT采用to -247长引线封装，工作温度范围为-55°C至175°C。典型的应用包括辅助负载，热管理和PTC加热器。
先进的专用沟栅场止动结构
严密的参数分布
正V(CE(sat))温度系数
低热阻
AEC-Q101合格
在V(CC)=800V, V(GE)=15V, T(J)(start)=175℃时，8μs的耐短路时间
1200V时集电极-发射极电压V(GE)=0V
在T(C)=100℃时，40A连续集电极电流
120A脉冲正向电流
536W T(C)=25℃时的总功耗
工作温度范围-55℃~ 175℃
辅助负载
热管理
PTC加热器
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