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ROHM SEMICONDUCTOR 罗姆 MOSFET

罗姆半导体RD3G08CBLHRB n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-08-05

摘要： 40V, 80A, 100% Avalanche测试，AEC-Q101合格，符合rohs标准。

ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRB n沟道功率MOSFET是一种40V, 80A, 100%雪崩测试的半导体器件，具有低导通电阻。该功率MOSFET具有±160A脉冲漏极电流，±20V栅源电压和96W功耗。RD3G08CBLHRB n沟道功率MOSFET通过AEC-Q101认证，符合rohs标准，采用TO-252 (DPAK)封装。该功率MOSFET工作在-55°C至175°C的温度范围内。典型的应用包括高级驾驶辅助系统(ADAS)、信息娱乐、照明和车身电子设备。

特性

低导通电阻
100%雪崩测试
AEC-Q101合格

Pd-free镀
通过无铅认证

规范

漏源电压40V
±80A连续漏极电流
±160A脉冲漏极电流
±20V栅源电压

96W功耗
TO-252 (DPAK)封装
工作温度范围-55℃~ 175℃

应用程序

高级驾驶辅助系统(ADAS)
信息娱乐

照明
体电子

测量电路

维图

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