金士顿自动温度DDR3L SDRAM的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2024-08-12

摘要： 设计用于满足扩展的汽车工作温度范围-40°C至105°C。

金士顿Auto Temp DDR3L SDRAM存储设备具有双数据速率架构和8位预取流水线设计，可实现每个时钟周期的高速双数据传输。这些2G/4Gbit密度DDR3L dram具有16M/32M字x 16位x 8组组织，可采用符合rohs标准的无卤素96球FBGA封装。这些器件旨在满足需要扩展汽车工作温度范围(-40°C至105°C)的应用需求。典型的应用包括汽车、工业物联网/机器人、工厂自动化和5G网络/电信通信模块。

特性

双数据速率架构:每个时钟周期传输两次数据
采用8位预取流水线结构实现高速数据传输
双向差分数据频闪(DQS和/DQS)发送/接收数据，用于在接收器捕获数据
DQS对读数据是边对齐的，对写数据是居中对齐的
差分时钟输入(CK和/CK)
DLL将DQ和DQS转换与CK转换对齐
在每个正CK边输入命令;数据和数据掩码引用DQS的两边
DM (Data mask)，用于写数据

通过可编程的附加延迟发布/CAS，以提高命令和数据总线的效率
ODT (on - die termination)，以获得更好的信号质量;

同步ODT
动态ODT
异步ODT

用于预定义模式读出的多用途寄存器(MPR)
DQ驱动器和ODT的ZQ校准
自动自我刷新(ASR)
/RESET引脚用于上电顺序和复位功能
SRT范围:

正常/扩展

可编程输出驱动器阻抗控制

规范

2G/4G比特密度
组织:

16Mwords x 16bits x 8banks
32Mwords x 16bits x 8banks

包:

96 -球FBGA
无铅(符合RoHS标准)和无卤素

电源:1.35V(典型)

V(DD)， V(DDQ) = 1.283V ~ 1.45V
向后兼容V(DD)， V(DDQ)=1.5V至0.075V

数据速率:

2133 mbps / 1866 mbps / 1600 mbps / 1333 mbps(最大)
向后兼容的

2KB页面大小:

行地址:A0到A13
列地址:A0 ~ A9

八家内部银行并行经营
爆发长度(BL): 8和4与爆发斩(BC)

突发类型(BT):

序列(8,4 with BC)
交错(8,4与BC)

可编程/CAS(读)延时(CL)
可编程/CAS写延迟(CWL)
预充:自动预充选项为每个突发访问
驱动强度:RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240欧姆)
刷新:

自动刷新
self-refresh

刷新周期:

平均刷新周期
7.8µs at -40℃≤Temperature≤85℃
3.9µs at 85°C≤Temperature≤105°C

工况温度范围:

0°C至95°C(商业温度)
-40°C至95°C(工业温度)
-40°C至105°C(汽车温度)

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：金士顿自动温度eMMC dram的介绍、特性、及应用

下一篇：Analog Devices公司分数n锁相环(PLL)的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

华强商城公众号

华强商城M站

芯八哥公众号

华强微电子公众号

华强电子网公众号

金士顿自动温度DDR3L SDRAM的介绍、特性、及应用

特性

规范