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该公司的QPD1008L是基于SiC HEMT的125 W (P3dB)宽带不匹配离散GaN，工作在DC至3.2 GHz和50V供电轨。该设备采用工业标准的空腔封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲、连续波和线性操作。
无铅，ROHS标准
评估委员会可根据要求提供。
| Frequency Min(MHz) | DC |
| Frequency Max(MHz) | 3,200 |
| Gain(dB) | > 17 |
| Psat(dBm) | 52 |
| PAE(%) | 70 |
| Vd(V) | 50 |
| Idq(mA) | 260 |
| Package Type | NI-360 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | EAR99 |
