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QPD1019是基于SiC HEMT的500 W (P3dB)内部匹配离散GaN器件，工作频率为2.9 - 3.3 GHz，供电轨为50V。该设备是GaN IMFET完全匹配50欧姆的工业标准空腔封装，非常适合军用雷达。
无铅，ROHS标准。
评估委员会可根据要求提供。
| Frequency Min(MHz) | 2,900 |
| Frequency Max(MHz) | 3,300 |
| Gain(dB) | 15.5 |
| Psat(dBm) | 57.7 |
| PAE(%) | 67 |
| Vd(V) | 50 |
| Idq(mA) | 750 |
| Package Type | RF-565 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | 3A001.B.3.A.3 |
