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(1)基于3.75 GHz脉冲P4dB性能。
QPD3640是基于SiC HEMT的双路分立GaN，运行在LTE下行频段42 (3.4 - 3.6 GHz)和频段43 (3.6 - 3.8 GHz)。该器件是一个单级匹配，功率多赫蒂放大器晶体管。
QPD3640可以提供389w的P4dB在+50 V的工作。
无铅，符合RoHS要求。
有关GaN热性能的更多信息，请参阅以下应用说明和视频。
| Frequency Min(MHz) | 3,400 |
| Frequency Max(MHz) | 3,800 |
| Gain(dB) | 15.6 |
| Psat(dBm) | 55.9 |
| Drain Efficiency(%) | 57.4 |
| Vd(V) | 48 |
| Idq(mA) | 342 |
| Package Type | NI-780-4L |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | 3A001.B.3.A.3 |
