QPD1017是基于SiC HEMT的450 W (P3dB)内部匹配的分立GaN,工作频率为3.1 - 3.5 GHz,并配有50V电源轨。该设备是GaN IMFET完全匹配50欧姆的工业标准空腔封装,非常适合军用雷达。
通过无铅认证。
评估委员会可根据要求提供。
| Frequency Min(MHz) | 3,100 |
| Frequency Max(MHz) | 3,500 |
| Gain(dB) | 16.5 |
| Psat(dBm) | 56.6 |
| PAE(%) | 60 |
| Vd(V) | 50 |
| Idq(mA) | 750 |
| Package Type | RF-565 |
| Package(mm) | 17.40 x 24.00 x 4.31 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | No |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | 3A001.B.3.A |