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QPD1017

3.1 - 3.5 GHz, 450瓦,50 V GaN射频IMFET

QPD1017产品信息:

关键特性

  • 频率范围:3.1 - 3.5 GHz
  • 输出功率(P3dB): 3.3 GHz时的460 W
  • 线性增益:3.3 GHz时典型的16.5 dB
  • 典型的PAE3dB:在3.3 GHz时60%
  • 工作电压:50 v
  • 低热阻封装
  • 脉冲能力

QPD1017是基于SiC HEMT的450 W (P3dB)内部匹配的分立GaN,工作频率为3.1 - 3.5 GHz,并配有50V电源轨。该设备是GaN IMFET完全匹配50欧姆的工业标准空腔封装,非常适合军用雷达。

通过无铅认证。

评估委员会可根据要求提供。

典型的应用

    • 军用雷达
    • 商业雷达
Frequency Min(MHz)3,100
Frequency Max(MHz)3,500
Gain(dB)16.5
Psat(dBm)56.6
PAE(%)60
Vd(V)50
Idq(mA)750
Package TypeRF-565
Package(mm)17.40 x 24.00 x 4.31
RoHSYes
Lead FreeNo
Halogen FreeYes
ITAR RestrictedNo
ECCN3A001.B.3.A

QPD1017数据手册:

QPD1017引脚功能、电路图:

相关型号:

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