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QPD1016L是一个500 W (P3dB)预匹配的分立GaN在SiC HEMT上，工作在DC到1.7 GHz和50 V电源。该设备采用工业标准的空腔封装，非常适合IFF、航空电子设备、军用和民用雷达以及测试仪器。该装置可支持脉冲和线性操作。
通过无铅认证。
评估委员会可根据要求提供
| Frequency Min(MHz) | DC |
| Frequency Max(MHz) | 1,700 |
| Gain(dB) | 15 |
| Psat(dBm) | 57.3 |
| Drain Efficiency(%) | 67 |
| Vd(V) | 50 |
| Idq(mA) | 1,000 |
| Package Type | NI-780 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | EAR99 |
