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QPD1029L是一个1500 W (P3dB)的分立GaN在SiC HEMT上工作，工作频率为1.2 - 1.4 GHz。在包内输入预匹配，方便外部板匹配，节省板空间。该设备采用行业标准的空腔封装，非常适合IFF、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持连续波和脉冲操作。
无铅，ROHS标准。
有关GaN热性能的更多信息，请参阅以下应用说明和视频。
| Frequency Min(MHz) | 1,200 |
| Frequency Max(MHz) | 1,400 |
| Psat(dBm) | 61.8 |
| PAE(%) | 75 |
| Vd(V) | 65 |
| Idq(mA) | 1,500 |
| Package Type | NI-1230 (Eared) |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
