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QPD9300是一个30w (P3dB)内部匹配的分立GaN在SiC HEMT上，工作在9.2 - 9.7 GHz和28 V供电轨。该设备完全匹配50 欧姆在一个行业标准的空腔封装，是理想的适合于军事和民用雷达。该装置可支持脉冲和线性操作。
通过无铅认证。
评估委员会可根据要求提供。
有关GaN热性能的更多信息，请参阅以下应用说明和视频。
| Frequency Min(MHz) | 9,200 |
| Frequency Max(MHz) | 9,700 |
| Gain(dB) | 9.1 |
| Psat(dBm) | 34.3 |
| Drain Efficiency(%) | 48.6 |
| Vd(V) | 25 |
| Idq(mA) | 240 |
| Package Type | EHS Laminate |
| Package(mm) | 7 x 7 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
