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QPD1028是基于SiC HEMT的750W分立GaN器件，工作频率为1.2 ~ 1.4 GHz，提供典型的59dBm饱和输出功率、18dB的大信号增益和70%的漏极效率。
在包内输入预匹配，便于外部板匹配，节省板空间。该设备安装在一个工业标准的空腔封装中，非常适合雷达应用。该设备可以支持连续波和脉冲操作。
评估委员会可根据要求提供。
| Frequency Min(MHz) | 1,200 |
| Frequency Max(MHz) | 1,400 |
| Gain(dB) | 18 |
| OP1dB(dBm) | 58.75 |
| Psat(dBm) | 59 |
| Drain Efficiency(%) | 70 |
| Vd(V) | 65 |
| Idq(mA) | 750 |
| Package Type | NI-780 |
| Package(mm) | 20.57 x 9.78 x 3.63 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | EAR99 |
