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QPD1013是基于SiC HEMT的150w (P3dB)分立GaN，工作频率从DC到2.7 GHz。这是一个单级无匹配功率放大器晶体管在一个模压塑料封装。QPD1013的高功率和宽带宽使其适用于从DC到2.7 GHz的许多不同的应用。
该设备采用工业标准7.2 x 6.6 mm表面安装DFN封装。
无铅，ROHS标准。评估委员会可根据要求提供。
| Frequency Min(MHz) | DC |
| Frequency Max(MHz) | 2,700 |
| Gain(dB) | 21.8 |
| PAE(%) | 64.8 |
| Vd(V) | 65 |
| Idq(mA) | 240 |
| Package Type | DFN |
| Package(mm) | 7.2 x 6.6 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | EAR99 |
