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QPD1009是一个15w (P3dB)分立GaN在SiC HEMT上，从DC工作到4ghz。该装置采用经过验证的QGaN25HV工艺，具有先进的现场极板技术，可在高漏偏置操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本，包括更少的放大器线路和更低的热管理成本。
该器件采用行业标准的3 × 3毫米表面贴装QFN封装。
无铅，ROHS标准。
评估委员会可根据要求提供。
有关GaN热性能的更多信息，请参阅以下应用说明和视频。
| Frequency Min(MHz) | DC |
| Frequency Max(MHz) | 4,000 |
| Gain(dB) | 24 |
| Psat(dBm) | 42.3 |
| PAE(%) | 72 |
| Vd(V) | 50 |
| Idq(mA) | 26 |
| Package Type | QFN |
| Package(mm) | 3 x 3 |
| RoHS | Yes |
| Lead Free | Yes |
| Halogen Free | Yes |
| ITAR Restricted | No |
| ECCN | EAR99 |
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