1700V SiC MOSFET具有11nC栅电荷，29欧姆栅电阻和750毫欧通电阻。

WSTK的特点是BRD4170A无线电板，并评估了EFR32 Mighty Gecko无线SoC。

硬件平台用于评测SAME51J20A单片机。

理想的挑战交通和移动环境。

提供了±2ppm的低第一年老化，并在一个紧凑的2.0mm x 1.6mm x 0.45mm陶瓷封装。

20dB耦合，高指向性，低干线损耗，良好的回波损耗75欧姆应用。

InGaP HBT技术，上/下转换器的LO/RF频率20GHz-50GHz和中频带宽DC-20GHz。

基于陶瓷多层技术，提供稳定的高选择性，最高可达很高的频率。

三个单独的单相SSRs封装在一个单独的外壳和一个共同的输入。

连接cpu和其他处理器到超酷产品，包括双流 和quadFLOW 。

提供低ESR，导致更高的纹波电流额定值而不牺牲电容。

用于高频应用的聚丙烯金属化薄膜和聚酯双金属化箔盖。

AEC-Q200合格，-55°C至+125°C工作温度范围，和450VDC至630VDC电压范围。