近日，全球知名半导体制造商英特尔（Intel）宣布推出首款用于下一代先进封装的玻璃基板。这款玻璃基板采用了全新的工艺技术，旨在提升芯片性能、降低功耗，并提高封装密度。英特尔表示，该玻璃基板预计将于 2026-2030 年间实现量产。

当地时间6月16日，晶圆代工巨头台积电在美国加利福尼亚州圣克拉拉召开了2022年台积电技术研讨会，介绍了台积电的技术现状和即将推出的路线图，涵盖了工艺技术和先进封装开发的各个方面。在之前的报道《台积电2nm细节曝光：功耗降低30%！成熟制程产能2025年将提升50%》当中，我们有介绍关于制程工艺技术的部分。今天我们再来聊聊台积电的先进封装技术。

虽然在半导体先进制程工艺方面，近日三星成功抢先台积电量产了3nm GAA制程工艺，但是在2.5/3D先进封装技术方面，三星仍落后于英特尔和台积电。而为了缩小这方面的差距，三星也已经组建了新的半导体封装工作组发力先进封装技术。

3月21日消息，由于3nm及更先进制程投资成本越来越高，为了继续推进芯片整体性能和成本并降低成本，2.5D/3D先进封装技术越来越受到产业界的青睐，并已进入高速成长期。根据市场研究机构Yole Developpement统计，英特尔及台积电去年在先进封装领域的资本支出居于领先地位，同时掌握了技术制定的话语权，日月光投控及三星则紧追在后，前四大厂厂商的资本支出合计占比高达85%。

先进封装市场面临需求疲软的挑战，而HPC芯片市场则处于较为乐观和稳健的发展态势，有望取代手机应用处理器(AP)成为市场中的领头羊。

1月28日消息，三星原本计划投资天安半导体晶圆厂约2000亿韩元（约合人民币10.52亿元），建立先进封装晶圆级扇出型封装（FOWLP） 产线，并用于旗下Exynos 系列移动处理器生产。但该计划遭自家高层质疑，面临重新评估局面。