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具有内置过流保护功能,热关机和主动箝位功能。
基于集成了1700V SiC MOSFET的BM2SC123FP2-LBZ交直流变换器的参考设计。
ROHM的AEC-Q101兼容mosfet采用沟槽栅极结构
ROHM Semiconductor第四代n通道碳化硅(SiC)功率mosfet提供低导通电阻,改善了短路耐受时间。
低VF,低IR,高防静电二极管,适用于手机和各种便携式电子产品。
设计为低饱和调节器,保证长期支持在工业市场。
采用低导通电阻/高速开关,提高功率转换效率和减小尺寸。
提供高可靠性和硅外延平面结构。
ROHM半导体公司的BS2103F-E2是一个单片的高低侧栅驱动IC
用于评估BD83转换器。
高可靠性部件采用动力模式结构设计。
I2C总线eeprom专为双线制汽车设计,符合AEC-Q100标准。
独特的电阻元件图案和激光修整技术。
ROHM的REFLVBMS001-EVK-001评估板配备了电源IC(降压DC/DC转换器IC)和复位IC(电压检测器IC),采用独创的Nano Energy 超低电流消耗技术。
IPM集成了栅极驱动器、引导二极管、igbt和飞轮二极管。
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