采用硅外延平面型结构制造，提供低红外和高可靠性。

在长边的特点端子，实现2W额定功率在一个紧凑的2550尺寸。

采用硅外延平面型结构制造，提供低VF和高可靠性。

低VF，低IR，高防静电二极管，表现出硅外延平面型结构。

ROHM半导体BDxxC0A-C和BDxxC0AW-C工业低损耗(LDO)稳压器具有低功耗，高电流能力和高电压电阻。

采用CMOS工艺，具有超低电流消耗特性的高精度集成电路。

基于BD63800MUF-C的AEC-Q100汽车双极低功耗步进电机驱动器。

具有超低VF, 20V反向直流电压(VR)， 2A整流正向电流(IO)。

具有AEC-Q101认证，确保汽车应用的可靠性。

特点0.5MSPS至1MSPS采样率范围和输出代码在直接二进制格式。

ROHM Semiconductor SDR03和SDR10高抗浪涌厚膜芯片电阻器提供卓越的额定功率，1608(0603)尺寸为0.3W, 2012(0805)尺寸为0.5W，适用于高可靠性的设备和电路。

ROHM Semiconductor BD34352EKV采样立体声音频D/A转换器是32位高音质立体声音频D/A转换器，对应于BD34352EKV- evk -001评估板。

超低VF (0.43V @ 5A IF)型二极管，在PMDTM (SOD-128)封装中提供了高可靠性。

具有高抗冲击能力，自检功能，耐高温性能优异。

HSOP-8和HSMT-8封装mosfet具有高电流处理能力/降低封装电阻。