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为工业使用提供长期支持。
支持40V或60V耐压,低导通电阻Nch+Pch mosfet在一个小TSMT8封装。
适用于高级驾驶辅助系统(ADAS)和照明应用。
具有超低开关损耗,外延平面型,适用于一般整流。
单通道,500mA LDO,输出电压精度±1.0%,低33µA电流消耗。
ROHM的mosfet实现了更精细的栅极结构和高电流密度
具有低VF、高可靠性和硅外延平面结构的阴极共极二极管。
采用硅外延平面型结构制造,提供低VF和高可靠性。
表面贴装光电二极管理想的脉冲波传感应用。
由栅极驱动器、引导二极管、igbt和飞轮二极管组成。
可以驱动GaN hemt,并在一个小的6针SON封装中以7A输出电流工作。
双色微型模具表面贴装芯片LED封装乳白色扩散树脂。
提供高精度、超低电流消耗和轻量化设计。
符合aec - q101标准的汽车级mosfet,采用3.3mm x 3.3mm高功率封装。
ROHM Semiconductor BD800M5Wxxx-C Low Dropout (LDO)稳压器是线性稳压器,设计用于汽车应用电源的低电流消耗产品。这些器件设计为高达45V的绝对最大电压,并在低17μA(典型)电流消耗的输出电流中...
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