随着科技的不断发展，游戏行业也在不断壮大。为了满足玩家们对高品质游戏体验的需求，高端游戏显卡市场正逐渐成为各大企业争夺的焦点。近日，全球领先的半导体制造商三星和SK海力士纷纷加大投入，加紧开发GDDR7（图形双数据速率第七代）技术，以期在高端游戏显卡市场占据一席之地。

近日，全球半导体行业巨头三星、SK海力士及美光纷纷宣布，计划在2024年上半年提高稼动率，加大产能扩张力度。这一举措预示着全球半导体产业将迎来新一轮的增长潮，为全球经济发展注入新活力。

12日最新消息，SK海力士和三星电子相信，由于生成式AI的轰动，新的存储芯片市场复苏即将来临。SK海力士DRAM营销主管Park Myung-soo在一次发布会上表示：“人工智能服务器需要500 GB或更大的高带宽内存（HBM）芯片以及至少2TB的DDR5芯片。”三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Hwang Sang-joon同日在KIW 2023上表示：“我们客户当前的（HBM）订单比去年增加了一倍多。”

据业内人士透露，由于行业形势下滑，Solidigm于7月份裁掉了韩国分公司的全部人员。最初，Solidigm韩国分公司只有少数人工作，但随着经营状况不断下滑，最终为了提高运营效率而关闭。

5月16日，爱思开海力士·英特尔DMTM半导体（大连）有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区举行开工仪式。该项目将建设一座新的晶圆工厂，从事非易失性存储器3D NAND芯片产品的生产。全球领先的半导体供应商SK海力士已在中国市场深耕十余年。2020年，SK海力士宣布收购英特尔NAND闪存及存储业务，其中包括英特尔大连工厂。

韩国半导体巨头SK海力士近日宣布，将扩大NAND闪存产品的减产规模，旨在保持市场的供需平衡。这一战略调整反映了全球半导体行业面临的供需挑战，并可能对全球NAND市场产生重要影响。

在数字化时代的浪潮推动下，人工智能和数据中心的需求不断攀升，DRAM市场随之迎来了新的增长期。作为全球内存市场的领军企业，三星电子与SK海力士的动向备受瞩目，它们近期关于提升高价值DRAM产品产量的战略决策引发了业界的广泛关注。

* 应用PIM的“GDDR6-AiM”产品将在权威国际学术大会上亮相 * 通过在内存中加入计算功能，得以最大限度地提高数据处理速度 * 低电压运行可提高能效，减少碳排放，从而改善ESG表现...

近日，美国政府宣布同意韩国科技巨头三星和SK海力士向其在中国的工厂提供设备。这一决定旨在加强美韩之间的科技合作，同时也有助于三星和SK海力士进一步扩大在中国市场的影响力。

近日，全球知名半导体制造企业SK海力士宣布，其最新的321层1TBTLC4D NAND闪存技术已经取得重大突破，并预计将在2025年上半期开始量产。这一消息标志着SK海力士在NAND闪存技术领域取得了重大进展。

新闻概要 * 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产 * 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存，并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性...

5月26日消息，继日前三星宣布了高达450万亿韩元（约合3600亿美元）的未来五年投资计划之后，韩国第二大财团SK 集团（SK Group，旗下企业包括全球第二大存储芯片厂商SK 海力士）今天宣布，未来五年将动用247万亿韩元（约合1976亿美元）在半导体、电池以及生物制药领域进行投资，其中的179 万亿韩元将在韩国投资以协助韩国本土振兴经济。

近日，SK海力士宣布了公司的发展愿景，计划到2030年将高带宽内存（HBM）出货量提升至每年1亿颗。这一目标意味着SK海力士将加大在HBM领域的投入，进一步提升公司在高性能计算市场的竞争力。

近日，SK海力士宣布将在无锡DRAM厂扩大21纳米生产线的产能比重。

据韩国媒体《中央日报》6月19日报导，数名业界人士批评称，韩国政府的官僚制度拖慢本土半导体建厂速度，其他国家和地区只需3年不到就能建好一座晶圆厂，而在韩国却要花上数年时间等待政府批准，建厂速度明显落后。这对韩国的科技竞争力来说是一大问题，因为快速扩产、满足客户需求的能力，是韩国厂商能否赢得订单的关键。