安森美半导体NVMFD6H846NL双N沟道功率MOSFET的介绍

安森美半导体NVMFD6H846NL双N沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计而设计，包括高热性能。该MOSFET具有低R DS（on）的特性以最小化传导损耗，并具有低Q G /电容的特性以最小化驱动器损耗。NVMFD6H846NL MOSFET的尺寸很小，尺寸为5mm x 6mm。该MOSFET符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能。典型应用包括反向电池保护，电源开关（高端驱动器，低端驱动器和H桥）以及开关电源。

NVMFD6H846NL双N沟道功率MOSFET特征

低漏源电阻（R DS（on））以最大程度地减小传导损耗：

10V时为15mΩ

4.5V时为19mΩ

31A最大连续漏极电流（I D）

80V漏源电压（V （BR）DSS）

低Q G和电容以最大程度减少驱动器损耗

符合AEC-Q101和PPAP标准

5mm x 6mm尺寸的小尺寸设计紧凑

NVMFD6H846NL双N沟道功率MOSFET效果图