威世半导体SQJ211ELP自动P通道100V MOSFET的介绍、及特性

来源：HQBUY 发布时间：2020-12-11

摘要： 威世半导体Vishay / Siliconix SQJ211ELP自动P沟道100V MOSFET提供-100V DS漏源电流，单一配置和PowerPAK SO-8L封装。SQJ211ELP MOSFET已通过AEC-Q101认证，已通过100Rg和UIS测试，并且不含卤素。

威世半导体Vishay / Siliconix SQJ211ELP自动P沟道100V MOSFET提供-100V DS漏源电流，单一配置和PowerPAK SO-8L封装。SQJ211ELP MOSFET已通过AEC-Q101认证，已通过100Rg和UIS测试，并且不含卤素。

威世半导体SQJ211ELP自动P通道100V MOSFET

Vishay SQJ211ELP自动P沟道100V MOSFET符合RoHS要求，最大额定功率为68W，SD正向电压为-1.2V ，工作温度范围为-55°C至+ 175°C。

TrenchFET电源

符合AEC-Q101

经过100％R g和UIS测试

符合RoHS

无卤素

单一配置

PowerPAK SO-8L封装

无铅

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