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摘要： 威世半导体Vishay / Siliconix SiS890ADN N沟道100V MOSFET提供100V DC漏极-源极电压，40A脉冲漏极电流和单一配置。SiS890ADN MOSFET具有非常低R DS ×Q个克图的品质因数（FOM）
威世半导体Vishay / Siliconix SiS890ADN N沟道100V MOSFET提供100V DC漏极-源极电压，40A脉冲漏极电流和单一配置。SiS890ADN MOSFET具有非常低R DS ×Q个克图的品质因数（FOM），TrenchFET GEN IV功率，并且是100％R克和UIS测试。
Vishay SiS890ADN N沟道100V MOSFET非常适合同步整流，一次侧开关，DC / DC转换器和电路保护。
TrenchFET 第四代功率MOSFET
低R DS x Q g品质因数（FOM）
调整为最低的R DS x Q oss FOM
经过100％R g和UIS测试
符合RoHS
无卤素
同步整流
一次侧开关
DC / DC转换器
电机驱动开关
电路保护
负荷开关
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