东芝TPH2R306PL1硅n通道U-MOSIX-H MOSFET具有高速开关、小栅极电荷和低漏源导通电阻。使用第九代沟槽U-MOSIX-H工艺制作的TPH2R306PL1 MOSFET提供了低导通电阻，有助于降低导通损失。U-MOSIX-H设计还降低了开关噪声，降低了电磁干扰。

东芝TPH2R306PL1是一个小的，低电阻的SOP高级封装，使用平坦的，无铅的引线连接到一个扩展器，以提高热电阻，减少封装电阻损失，并使更高的电流输出。

特性

• 高速开关

• 小19nC(典型)栅电荷(Q(SW))

• 小51nC(典型)输出电荷(Q(oss))

• 漏源极低导通电阻

• R(DS(ON)) =1.7毫欧(典型，V(GS) = 10V)

• 低漏电流

• 10μA(最大，VDS = 60V)

• 增强型

• (V(DS) = 10V, I(D) = 0.5mA)

• 4.9mm x 6.1mm x 1.0mm SOP先进包装

应用程序

• 高效直流-直流转换器

• 开关稳压器

• 电机驱动程序

内部电路

规格尺寸