摘要: 650V MOSFET具有低0.092欧姆漏源极导通电阻,是开关电源的理想器件。
东芝TK110Z65Z硅n通道DTMOSIV系列MOSFET具有低0.092欧姆(典型)漏源极导通电阻、高速开关特性和低电容。TK110Z65Z还具有增强模式,使其非常适合用于开关电源应用。
东芝TK110Z65Z MOSFET采用TO-247-4L封装,符合RoHS标准。
漏源极低导通电阻
R(DS(ON)) = 0.092欧姆(典型)
具有低电容、高速开关特性
增强模式:V(th) = 3V ~ 4V (V(DS) = 10V, I(D) = 1.02mA)
650V漏源极电压(V(DSS))
±30V栅源电压(V(GSS))
24A直流漏极电流(I(D))
96A脉冲漏极电流(I(DP))
在TC =25°C时,190W的功耗(P(D))
150°C通道温度(T(CH))
15.94mm x 20.95mm x 5.0mm TO-247-4L封装
通过无铅认证
开关电源
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