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ONSEMI MOSFET

onsemi 650V碳化硅(SiC) mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-06-06

摘要： 提供优越的开关性能和比硅更高的可靠性。

onsemi 650V碳化硅(SiC) mosfet使用了一种全新的技术，与硅相比提供了优越的开关性能和更高的可靠性。mosfet具有低ON电阻和紧凑的芯片尺寸，以确保低电容和栅电荷。其优点包括效率高、操作频率快、功率密度高、EMI低、系统尺寸小。

特性

低R (DSon)
结温度高
Tj = 175°C
100% UIL测试

通过无铅认证
高速开关，低电容
650 v级

应用程序

直流-直流转换器
提高逆变器

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