onsemi FDT4N50NZU UniFET II MOSFET的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > onsemi FDT4N50NZU UniFET II MOSFET的介绍、特性、及应用

ONSEMI MOSFET

onsemi FDT4N50NZU UniFET II MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-06-06

摘要： 基于先进平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET。

onsemi FDT4N50NZU UniFET II MOSFET是一种基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET。在平面MOSFET中，MOSFET具有较小的通态电阻。它提供了优越的开关性能和更高的雪崩能量强度。内部栅源ESD二极管允许UniFET II MOSFET承受超过2kV HBM浪涌应力。

特性

Typ。R (DS(上))= 2.42
超低栅电荷(典型。问(g) = 9.1 nC)

100%雪崩测试
这些设备是无铅，无卤/无BFR，并符合RoHS标准

应用程序

计算/显示器电源
工业电源
消费者的电力供应

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：onsemi Motor Development Kit (MDK)系列的介绍、特性、及应用

下一篇：onsemi 650V碳化硅(SiC) mosfet的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308