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COHERENT MOSFET

相干tm3b00201201200v SIC MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-12-12

摘要： 具有更高的效率，更高的开关频率和出色的+200°C额定值。

相干TM3B0020120 1200V SIC MOSFET具有比标准器件更高的效率和更高的开关频率，具有出色的+200°C额定值。TM3B0020120通过超低栅极电阻实现快速开关。此外，相干TM3B0020120提供非常低的温度不变开关损耗。

特性

高电压和低R(DS(ON))，最高可达+200℃
超低栅极电阻实现快速开关
非常低，温度不变开关损耗

雪崩坚固性优于硅
快速恢复体二极管同步整流

规范

连续漏极电流

108A at V(GS) = 20V, T(C) = +25℃
82A时，V(GS) = 20V, T(C) = +100℃
71A at V(GS) = 20V, T(C) = +125℃

120A脉冲漏极电流
473W功耗
1200V漏源击穿电压
-55°C至+200°C工作结和存储温度

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