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摘要： 针对快速开关应用优化的1700V M1平面SiC MOSFET。
onsemi NVBG1000N170M1碳化硅(SiC) MOSFET是一款针对快速开关应用进行优化的1700V M1平面器件。平面技术可靠地与负栅极电压驱动和关闭栅极上的尖峰。这款n沟道ElteSiC MOSFET在20V栅极驱动下提供最佳性能，但在18V栅极驱动下也能很好地工作。
当栅源电压为20V时，960毫欧漏源导通电阻
超低栅极电荷14nc
具有11pF的低电容的高速开关
n沟道
100%雪崩测试
通过AEC-Q101认证，具备ppap能力
D2PAK-7L案例
无卤化物，符合rohs标准，免征7a，无铅2LI(二级互连)
回程转换器
汽车电动汽车/戊肝病毒
1700最大漏源电压
最大栅源电压-15V/+25V，推荐工作值-5V/+20V
3.0A(+100°C)至4.3A(+25°C)最大连续漏极电流范围
最大功耗范围25W(+100℃)~ 51W(+25℃)
14.6A最大脉冲漏极电流
10A最大源电流(体二极管)
24mJ最大单脉冲漏源雪崩能量
-55°C至+175°C工作结温范围
+270°C最高焊接温度
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