Micro Commercial Components (MCC)超结MosFET专为原边应用而设计。HV MosFET使用多epi工艺，从而具有更好的EMI性能。MCC超级结MosFET在380MΩ和170mΩ的R DSon值下具有高达11A和20A的最大电流，电压高达650V。Super Junction MosFET采用通孔（TO-247（20A），TO-220，TO-220F）和表面贴装（DFN（11A），DPAK）封装。

Maxim MAX17760降压型DC-DC转换器是一款高效，高压，喜马拉雅同步降压型DC-DC转换器，集成了MOSFET，在4.5V至76V的输入电压范围内工作。该设备可提供高达300mA的电流。输出电压可编程范围为0.8V至输入电压的88％（V IN）。内置的控制环路补偿消除了对外部组件的需求。

Maxim MAXM86146光学生物传感模块将Maxim一流的光学生物传感模拟前端（AFE）与功能强大的Arm微控制器单元（MCU）和两个高灵敏度光电二极管结合在一起。集成的MCU是专门为电池供电的设备和无线传感器设计的超低功耗微控制器。Maxim MAXM86146集成了灵活的多功能电源管理单元，可通过1.8V单电源供电。

Microsemi / Microchip PD-9501GCO IP67单端口以太网供电（PoE）Midspan为室外PoE数据终端安装提供了一种符合IEEE 802.3bt Type3标准的经济高效解决方案。PD-9501GCO Midspan允许无线LAN接入点，安全网络摄像机和其他IP终端通过标准以太网电缆接收60W的功率以及数据，从而使网络基础设施完全不变。

ROHM Semiconductor BM1Z交流电压过零检测（ZCD）IC是电压比较器，可在二极管整流后输出交流电压过零定时检测和直流电压。通过消除传统ZCD电路所需的光耦合器和外部组件的需求，可以大幅减少零件数量，并实现紧凑且高度可靠的电源应用。此外，与现有的光电耦合器控制相比，这些BM1Z IC可以大大降低待机功耗。

罗姆半导体BM1Z评估板为BM1Z交流电压过零检测（ZCD）IC提供了演示平台。BM1Z ZCD IC是电压比较器，可在二极管整流后输出交流电压过零时序检测和直流电压。通过消除传统ZCD电路所需的光耦合器和外部组件的需求，可以大幅减少零件数量，并实现紧凑且高度可靠的电源应用。

Maxim MAX17760AEVKIT转换器评估板提供经过验证的设计，可评估采用TDFN封装的MAX17760高效，高压，同步降压型DC-DC转换器。该评估套件通过7V至76V输入电源在负载电流高达300mA时产生5V电压。该评估套件具有400kHz的开关频率，可实现最佳效率和组件尺寸。

Maxim MAXM86146EVSYS评估系统可以快速评估MAXM86146光学模块，适用于身体各个部位的应用，尤其是手腕。MAXM86146支持UART，I 2 C和SPI兼容接口。MAXM86146具有两个同时工作的光学读出通道。评估系统允许灵活的配置，以最小的功耗优化测量信号质量。

Diodes Incorporated AP22653W6-EVM评估模块配置为评估AP22653的操作。AP22653是单通道精密可调限流开关，针对需要精确限流或在重负载/短路期间提供高达2.1A的连续负载电流的应用进行了优化。

24C04提供的组织为每8个比特的512个字的串行电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM）4096位。该IC用于需要低功耗和低压运行的应用

Cal Test Electronics CT4043-200大电流测试线是用于电源，负载或电池分析仪测试连接的大电流组件。CT4043-200的两端均配有重型铲形连接器，并具有8mm的开口，可牢固地锁定在接线柱或端子上。这些测试导线的2m长度能够承受高达60A的电流。

Mikroe H-Bridge 7 Click具有TI DRV8876N柔性电动机驱动器IC，适用于各种最终应用。它使用一个N通道H桥，电荷泵调节器和保护电路。电荷泵通过允许高端和低端N通道MOSFET和100％占空比支持，提高了效率。该IC可通过以低功耗睡眠模式关闭大多数内部电路来实现喀click声，从而实现超低静态电流消耗。

Bel Fuse 0ZT高温PTC自恢复保险丝符合AEC-Q200要求，工作温度范围为-40°C至+ 125°C。表面贴装保险丝的跳闸时间比标准SMD设备快，最大电压可达30V。可用的芯片尺寸包括0805、1206、1210、1812和2920。